皮米水平上原位操縱二維范德華層狀I(lǐng)nSe材料中的鐵電極化
日期:2024-11-19
鐵電材料因其自發(fā)的電極化行為而被廣泛應(yīng)用在邏輯運(yùn)算,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),光電效應(yīng)等領(lǐng)域。通常在鐵電材料中,在一個(gè)單胞內(nèi)正負(fù)電荷中心不重合會(huì)引發(fā)自發(fā)電極化因而產(chǎn)生宏觀鐵電性。近年來(lái),研究者們?cè)诙S的范德華層狀材料中也發(fā)現(xiàn)了鐵電性。二維范德華鐵電材料因?yàn)閷娱g的整體滑移,可以較小的電壓下實(shí)現(xiàn)鐵電極化翻轉(zhuǎn),從而彌補(bǔ)傳統(tǒng)鐵電材料的缺陷釘扎效應(yīng),因而具有明顯的抗疲勞優(yōu)勢(shì)。然而,目前鐵電性起源在微觀結(jié)構(gòu)上的研究十分有限。
2023年,據(jù)《Nature》雜志報(bào)道基于三層的InSe材料制備的場(chǎng)效應(yīng)管具有顯著高于傳統(tǒng)硅基材料的室溫彈道比,是目前場(chǎng)效管的最高值,因而有望成為半導(dǎo)體行業(yè)中突破硅基摩爾極限的二維材料新方案。塊體材料的InSe是二維的”Se-In-In-Se四層結(jié)構(gòu)”(QL)經(jīng)由范德華鍵堆疊而成,根據(jù)不同的堆疊順序可組成四種不同的結(jié)構(gòu)相(圖1),分別是
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作者:澤攸科技
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